佳能将在2021年3月上旬发售半导体光刻机新产品——i线步进式光刻机“FPA-3030i5a”。该产品支持化合物半导体等器件的生产制造，同时降低了半导体制造中重要的总成本指标“拥有成本”（Cost of Ownership，以下简称“CoO”）。

FPA-3030i5a

      新产品是面向8英寸及以下尺寸小型基板的半导体光刻机。不仅是硅晶圆，该产品还可以应对SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）等化合物半导体晶圆，从而实现多种半导体器件的生产制造。因此，对于未来有望需求大增的车载功率器件和5G通信器件等半导体器件，新产品都可以支持生产。此外，与传统机型“FPA-3030i5+”（2012年6月发售）相比，该产品的硬件和软件都进行了更新升级，实现了CoO的降低。

支持多种材质晶圆，实现多种半导体器件制造

      新产品采用了支持直径2英寸（50毫米）到8英寸（200毫米）多种化合物半导体晶圆的搬运系统。此外，基于使用无需通过投影透镜即可测量对准标记的新型对准示波器，该产品可以在广泛的波长范围内进行对准测量。同时，还可以选择背面对准（TSA: Through Si Alignment）的选配功能，从而能应对各种客户的制造工艺。另外，新产品继承了传统机型的解像力，可以曝光0.35微米3的线宽图案。通过上述功能的搭载，该产品实现了使用SiC等广泛的化合物半导体晶圆材料，来制造功率器件和通信器件。

通过硬件和软件的更新升级降低CoO

      与传统机型相比，新产品采用了可以缩短对准标记测量时间的新对准示波器、和更加高速的搬运系统等硬件，同时升级了搭载的软件，使生产率提高了约17％。目前，能达到在8英寸（200毫米）的晶圆上123wph（Wafers per hour“每小时晶圆数量”）的处理能力。另外，通过改变保持光刻机内部恒定环境的腔室温度控制方法，使功耗比传统机型减少了约20％。通过这些改进，新产品可满足降低CoO的客户需求。

参考资料：

＜什么是CoO（Cost of Ownership “拥有成本”）＞

      CoO是半导体制造中设备投资和运行所需要的总成本。这是半导体厂商的生产线中，衡量工艺和制造设备生产率的指标之一，在选择制造设备时会予以考虑。

＜关于佳能面向小型基板的半导体光刻机产品阵容＞

      佳能的面向小型基板的半导体光刻机不仅可以处理硅晶圆，还可以处理通常为小型晶圆的化合物半导体晶圆。目前的产品阵容有包含新产品在内的3款产品。KrF受激准分子激光器步进式光刻机4 “FPA-3030EX6”（2016年7月发售）可以满足需要高解像力的客户需求。i线步进式光刻机“FPA-3030iWa”（2020年2月发售）可以在广泛范围内曝光，通过采用NA（数值孔径）从0.16到0.24可变的投影透镜，使其在确保高DOF（聚焦深度）的同时，可以高精度曝光均匀的线宽。

＜半导体光刻机的市场动向＞

      近年来，随着物联网的飞速发展，功率器件、通信器件等各种各样与物联网相关的半导体器件需求增加，适用于这些器件的各种材料和尺寸的晶圆的使用量也在上升。目前对于半导体光刻机的需求，不仅要求可以处理硅晶圆，还需要可以处理特殊基板和小型基板，例如SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）等材料的化合物半导体晶圆和小型晶圆等。（佳能调研）

＜关于“佳能光刻机50周年纪念网站”＞

      今年是佳能正式进入半导体光刻机事业的50周年。50周年之际，我们发布了“佳能光刻机50周年纪念网站”，通过图片和视频等易于理解的方式说明“光刻机”的原理和性能。此外，我们还面向青少年专门开设了一个页面，帮助他们理解曝光的原理。

本网站及其公众号为公益性网络平台，所发图文仅供传播信息、介绍知识、说明问题之用；相关版权归原作者所有，转载请务必注明出处和作者。

稿件一经选用，即视为作者同意本网免费将其使用于本网或与本网有合作关系的非赢利性各类出版物、互联网与手机端媒体及专业学术文库等。

由稿件引起的著作权问题及其法律责任由作者自行承担。

了解更多动态，请扫描二维码，关注我们的微信公众号：